Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


КР174УН31 - низковольтный усилитель мощности звуковой частоты


КР174УН31 (АДБК.431120.573ТУ) - интегральная схема (ИС) двухканального выходного усилителя мощности звуковой частоты (УНЧ). Усилитель предназначен для монофонической и стереофонической малогабаритной радиоаппаратуры с максимальной выходной мощностью до 1,1 W.

Основные характеристики

  • Коэффициент усиления – 21 дБ
  • Коэффициент нелинейных искажений (тип) – 0,015 %
  • Максимальная выходная мощность:
    • в мостовом монофоническом режиме:
      • U CC =3 V, R L =8 Ом – 200 мВт
      • U CC =6 V, R L =8 Ом – 1,1 Вт
    • в стереорежиме, на канал:
      • U CC =3 V, R L =8 Ом – 100 мВт
      • U CC =6 V, R L =8 Ом – 440 мВт
  • Сопротивление нагрузки – l8 Ом
  • MOSFET выходной каскад
  • «Мягкая» характеристика ограничения при перегрузке
  • Напряжение питания – 2,1 ... 6,6 В
  • Ток потребления – 7 мА
  • Высокое подавление помех по питанию
  • Минимум внешних компонентов
  • БиКМОП технология
  • Пластмассовый 8-выводный DIP корпус типа 2101.8-1
Структурная схема


ИС КР174УН31 изготовлена по БиКМОП технологии и поставляется в пластмассовых 8-выводных корпусах DIP (тип 2101.8-1). По предварительному заказу, при достаточном объеме партии, ИС может изготавливаться в ином исполнении.


Описание выводов

Номер вывода Символ Описание
1 OUT1 Выход первого канала уилителя
2 GND Общий вывод, 0В
3 UCC Вывод напряжения питания
4 OUT2 Выход второго канала усилителя
5 IN2 Вход второго канала усилителя
6 DECPL Фильтр блокировки
7 FILTER Фильтр делителя смещения
8 IN1 Вход первого канала усилителя


Электрические параметры

T = (25 ± 10)°C, f = 1кГц, R = 8 Om

Параметр Единица Символ Значение Условия измерения
Мин. Тип. Макс.
Напряжение питания B UCC 2,1 - 6,6 -
Постоянное напряжение между выводами каналов мВ UOB - 5 50 UCC=6,0 V,

U=0 mV
Ток потребления мА ICC - 7,0 10 UCC=6,6 V,

U=0 mV
Максимальная выходная мощность в стереофоническом режиме (на канал) мВт P0max 240

0

70
440

240

100
-

-

-
UCC=6,0 V,

UCC=4,5 V,

UCC=3,0 V,

Kh=10%,

стерео
Максимальная выходная мощность в мостовом монофоническом режиме мВт P0max 800

-

-
1100

540

200
-

-

-
UCC=6,0 V,

UCC=4,5 V,

UCC=3,0 V,

Kh=10%,

стерео
Коэффициент усиления по напряжению в стереофоническом режиме дБ AU 18 21 24 UCC=6,0 V,

стерео,

U=100 mV
Разность коэффициентов усиления по каналам дБ DAU - 0,08 1 UCC=6,0 V,

стерео,

U=100 mV
Переходное затухание между каналами дБ b - 57 - UCC=6,0 V,

стерео,

U=100 mV
Коэффициент нелинейных искажений % Kh - 0,015 0,1 UCC=6,0 V,

стерео,

U=100 mV
Выходное напряжение шумов мкВ Uno - 100 - UCC=6,0 V,

стерео
Входное сопротивление (справочный параметр) кОм R 35 45 50 -


Режимы включения

Параметр Единица Символ Режим включения*
Эксплуатационный Предельный
Мин. Макс. Мин. Макс.
Напрряжение питания В UCC 2,1 6,6 - 7,0
Напряжение входного сигнала звуковой частоты мВ U - 250 - 500
Частота входного сигнала кГц f 0,02 30,0 0,01 100,0
Выходной ток мА IO - 500 - 700
Постоянная рассеиваемая мощность (при TOP J 27° C) мВт PD - 800 - 1000

f<5s
Допустимое значение статического электричества В UST - 200 - 200
Температура окружающей среды:

- рабочая

- хранения
°C

TOP

TSTG


-25

-


+70

-


-

-25


-

+85


* - В эксплуатационном режиме гарантируются регламентированные (в виде таблиц и зависимостей) характеристики и правильность функционирования ИС. При превышении хотя бы одного значения предельного режима возможно необратимое повреждение ИС. Нормы указаны с учетом всех видов помех.

Типовые зависимости

Зависимость максимальной

выходной мощности от

напряжения питания

в стереофоническом режиме

(на канал)


Зависимость тока потребления от напряжения питания

Зависимость максимальной выходной мощности от напряжения питания в мостовом режиме

Зависимость коэффициента нелинейных искажений от выходной мощности в стереофоническом режиме



Типовые схемы включения

Стереофонический режим

Монофонический режим



Показатели устойчивости

Микросхема устойчива к механическим и климатическим воздействиям по ГОСТ 18725, в том числе:

  • линейным ускорениям 5 000м/с2 (500g) ,
  • пониженной рабочей температуре среды -10°С,
  • повышенной рабочей температуре среды +70°С,
  • пониженной предельной температуре среды -60°С,
  • повышенной предельной температуре среды +85°С,
  • изменениям температуры среды от -60 до +85°С.
Показатели надежности

Наработка микросхемы на отказ:

  • в полном диапазоне условий применения - 50 000 ч,
  • в облегченном режиме (нормальные климатические условия, допустимом отклонении значения напряжения питания от номинального -5%) - 60 000 ч.
Интенсивность отказов в течение наработки не более 1х10-6 1/ч.

Гамма процентный срок сохраняемости 10 лет.

Гарантии изготовителя

Гарантии предприятия-изготовителя - по ГОСТ 18 725.

Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.

Гарантийная наработка 50 000 ч. в пределах гарантийного срока хранения


Источник: http://gaw.ru

Читайте далее: Регулируемые &quot;LOW DROP&quot; стабилизаторы положительного напряжения, Подставка для инструмента, Посеребрение металлов., В Интернет по электропроводке, Простой способ изготовления спутниковых антенн, Видеомодем на микросхеме PRACT от Siemens, Микроконтроллеры PIC16F84. Подробная документация для начинающих, Согласующий экспоненциальный трансформатор для спутниковых приемников, Два слова о тиристорах, Сотовый. Не грейте уши!, А знаете ли вы, что..., Элементы хорошего питания, КР1008ВЖ18 - приемник-декодер двухтонального (DTMF) сигнала (код 2 из 8), Проектирование зарядных систем,
Самые читаемые