Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышленности


Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)

Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 2,0
4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 6,0 - 6,5
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 1,0 - 1,2
7 Число оборотов при нанесении, об/мин 3000,0
8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 3,0
9 Проявитель 2% раствор в воде Na3PO4
Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)

Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 20,0
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 6 - 8
8 Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут 14,0
9 Проявитель 0,5% водный раствор КОН
Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)

Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 1,5
4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 2,0 - 2,5
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,5
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 0,7 - 1,1
7 Число оборотов при нанесении, об/мин 2500,0
8 Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее 90,0
Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)

Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С

No Характеристики Норма
марка A марка B марка C
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 2,0 2,0 2,0
4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 4,5 15,0 21,5
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0 2,0 2,0
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 0,5 1,5 2,0
7 Число оборотов при нанесении, об/мин 3000,0 3000,0 3000,0
8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 10,0 12,0 15,0
9 Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более 20 30 40
10 Светочувствительность, мдж/см2, не более 60 120 150
Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)

Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 17,0 - 20,0
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 100,0
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 2,6 - 3,4
9 Проявитель 0,6% раствор КОН в воде
10 Светочувствительность, мдж/см2, не хуже 150,0
Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т

Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве БИС на подложках с рельефом.

Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве больших интегральных схем

No Характеристики Норма
ФП-051К ФП-051Т
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 55,0 15,5 - 19,5
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0 2,0
6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 1,9 - 2,3 1,3
8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 30,0 15,0
9 Проявитель 0,6% раствор КОН в воде
Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)

Предназначены для реализации фотолитографичексих циклов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других продуктов с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.

No Характеристики Норма
ФН-11Су ФН-11СКу
1 Внешний вид фоторезиста Прозрачная жидкость коричневого цвета
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 13+3 150+10
5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 8,0 8,0
9 Проявитель Уайт-спирит


Читайте далее: CTN - Многоцветные скрученные нематики, Мой первый проект на PIC микроконтроллере, Индикатор опасности (катастроф), Сильноскрученный нематик (HTN), Температурная компенсация LCD дисплеев, Склеенные вместе ячейки заполненные нематиком с суперзакручиванием DSTN, Пояснения к "Углу обзора" LCD, Современное состояние рынка LCD и перспективы его развития до 2006 года, Аналоговые компоненты фирмы Microchip Technology, Введение в LVDS, Выбор микроконтроллера, Датчики положения фирмы Honeywell на основе эффекта Холла, Об эмуляторе таксофонных карт для начинающих. Часть 1, Как обеспечить взаимодействие микроконтроллера TSC80251 и символьного ЖКИ, Матричный сенсорный экран, Микроконтроллер ATmega169 и кит AVR-Baterfly, Микроконтроллеры фирмы Intel с портом USB, Мониторы контроля заряда батарей от Dallas Semiconductor, Новейшие светодиодные лампы для замены ламп накаливания на автомобиле,
Самые читаемые