Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышленности
Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)
Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.
No | Характеристики | Норма | 1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 3 | Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более | 2,0 | 4 | Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек | 6,0 - 6,5 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 2,0 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 1,0 - 1,2 | 7 | Число оборотов при нанесении, об/мин | 3000,0 | 8 | Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее | 3,0 | 9 | Проявитель | 2% раствор в воде Na3PO4 | Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)
Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.
1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 20,0 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 6 - 8 | 8 | Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут | 14,0 | 9 | Проявитель | 0,5% водный раствор КОН | Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)
Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.
1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 3 | Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более | 1,5 | 4 | Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек | 2,0 - 2,5 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 2,5 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 0,7 - 1,1 | 7 | Число оборотов при нанесении, об/мин | 2500,0 | 8 | Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее | 90,0 | Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)
Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С
1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 3 | Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более | 2,0 | 2,0 | 2,0 | 4 | Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек | 4,5 | 15,0 | 21,5 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 2,0 | 2,0 | 2,0 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 0,5 | 1,5 | 2,0 | 7 | Число оборотов при нанесении, об/мин | 3000,0 | 3000,0 | 3000,0 | 8 | Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее | 10,0 | 12,0 | 15,0 | 9 | Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более | 20 | 30 | 40 | 10 | Светочувствительность, мдж/см2, не более | 60 | 120 | 150 | Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)
Предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.
1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 3 | Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более | 17,0 - 20,0 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 100,0 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 2,6 - 3,4 | 9 | Проявитель | 0,6% раствор КОН в воде | 10 | Светочувствительность, мдж/см2, не хуже | 150,0 | Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т
Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве БИС на подложках с рельефом.
Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических циклов в производстве больших интегральных схем
1 | Внешний вид фоторезиста | Жидкость красно-корич цвета без осадка | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 4 | Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек | 55,0 | 15,5 - 19,5 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 2,0 | 2,0 | 6 | Толщина пленки фоторезиста, мкм | 1,9 - 2,3 | 1,3 | 8 | Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее | 30,0 | 15,0 | 9 | Проявитель | 0,6% раствор КОН в воде | Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)
Предназначены для реализации фотолитографичексих циклов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других продуктов с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.
1 | Внешний вид фоторезиста | Прозрачная жидкость коричневого цвета | 2 | Внешний вид пленки фоторезиста | Гладкая без разрывов | 4 | Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек | 13+3 | 150+10 | 5 | Разрешаюшая способность, мкм, не более | 8,0 | 8,0 | 9 | Проявитель | Уайт-спирит |
Читайте далее: CTN - Многоцветные скрученные нематики, Мой первый проект на PIC микроконтроллере, Индикатор опасности (катастроф), Сильноскрученный нематик (HTN), Температурная компенсация LCD дисплеев, Склеенные вместе ячейки заполненные нематиком с суперзакручиванием DSTN, Пояснения к "Углу обзора" LCD, Современное состояние рынка LCD и перспективы его развития до 2006 года, Аналоговые компоненты фирмы Microchip Technology, Введение в LVDS, Выбор микроконтроллера, Датчики положения фирмы Honeywell на основе эффекта Холла, Об эмуляторе таксофонных карт для начинающих. Часть 1, Как обеспечить взаимодействие микроконтроллера TSC80251 и символьного ЖКИ, Матричный сенсорный экран, Микроконтроллер ATmega169 и кит AVR-Baterfly, Микроконтроллеры фирмы Intel с портом USB, Мониторы контроля заряда батарей от Dallas Semiconductor, Новейшие светодиодные лампы для замены ламп накаливания на автомобиле,
|