lazer-prom.ru - гальваника, строительство и обработка поверхности

Главная

Гальваническое покрытие

Обработка поверхности

Радиотехника

Бессточные операции

Гальвано- химическое производство

Достижения

	Самые новые

		Основы организации современных гальвано-химических производств

		Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод

		Импульсная металлизация печатных плат

		Создание высокоэффективных систем промывки деталей

		Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема

		Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях

		Переработка металлургических отходов

		Последние достижения в гальванопластике

		Обработка промывных вод травильных агрегатов

		Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения

		Об утилизации гальванических шламов

		Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики

		Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов

		В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн

		Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%

		Производство алюминия продолжает расти

		Химическое производство в России выросло на 1,2%

		Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т

		"Антон" - "Северсталь"

		Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"

		Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией

		"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"

		Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду

		Evraz увеличивает выплаты

		Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали

		Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза

		"Цинк среди драгоценных металлов"

		Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"

		"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO

		Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии

		Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев

		Стратегия развития металлургической промышленности

		Инженеры в почете

		Информационное обеспечение химического комплекса

		Дефицит кадров

		Спрос на оцинкованную сталь растет

Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14

Главная

Радиотехника

Кодовое обозначение миниатюрных полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-46 (SOT-23)

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ

C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод (варикап);

MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);

N-FET- (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N-каналом;

PIN-Di- (PIN -diode) -диод;

P-FET- (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р-каналом;

S- (Sensor devices) - сенсорная схема;

Si-Di- (Silicon diode) - кремниевый диод;

Si-N- (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор;

Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;

Si-P- (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор;

Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;

Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод (стабилитрон);

Т- (Tuner Diodes) - переключающий диод;

Tetrode- (P- + N-gate thyristor) - транзистор с четырехслойной структурой;

Vrf- (Voltage reference diodes) - высокостабильный опорный диод;

Vrg- (Voltage requlator diodes) - регулируемый опорный диод;

AM- (RF application) - амплитудная модуляция;

Band-S- (RF band switching) - ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);

Chopper- (Chopper) - прерыватель;

Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор (диод);

FED- (Field effect diode) - диод, управляющий напряжением;

FM- (RF application) - частотная модуляция;

HF- (RF application [general]) - высокочастотный диапазон;

LED- (Light-emitting diode) - светодиод;

M- (Mixer stages) - смесительный;

Min- (Miniaturized) - миниатюрный;

NF- (AF applications) - низкочастотный (звуковой) диапазон;

О- (Oscillator stages) - генераторная схема;

га- (Low noise) - малошумящий;

S- (Switching stages) - ключевой;

SS- (Fast switching stages) - быстродействующий ключ;

sym- (SyMinetrical types) - симметричный;

Tr- (Driver stages) - мощной устройство (мощный управляющий ключ);

tuning(RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона;

Tunnel-Di- (Tunnel diode) - тунельный диод;

UHF- (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий (СВЧ) диапазон;

Uni- (General purpose tyres) - универсальный (массового применения);

V- (Pre/input stages) - предварительный (для входных цепей);

VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) - высокочастотный (УКВ) диапазон;

Vid- (Video output stages) - видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора	маркировка		структ. код п/п	аналог (прибл.)	Краткие параметры
Тип прибора	Типов.	Рев.	структ. код п/п	аналог (прибл.)	Краткие параметры
ВА316	А6		Si-Di	BAW62, 1N4148	Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17	А91		Si-St	ВА314	Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
ВА319	А8		Si-Di	BAV19	Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20	А81		Si-Di	BAV20	Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21	А82		Si-Di	BAV21	Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29	L20		Si-Di	BAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31	L21		Si-Di	2XBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35	L22		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17	A3		Pin-Di	BA480	VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18	А2		Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70	А4		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99	А7		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56	А1		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31	81		C-Di	BB405, BB609	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40	S2		C-Di	BB809	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16	5A	5AR	Si-P	BC327-16	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25	5В	5BR	Si-P	BC327-25	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40	5С	5CR	Si-P	BC327-40	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16	5Е	5ER	Si-P	BC328-16	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25	5F	5FR	Si-P	BC328-25	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40	5G	5GR	Si-P	BC328-40	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16	6A	6AR	Si-N	BC337-16	Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B	1В	1BR	Si-N	BC546B	Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A	1E	1ER	Si-N	BC547A, BC107A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B	1F	1FR	Si-N	BC547B, BC107B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C	1G	1GR	Si-N	BC547C, BC107C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A	U	1JR	Si-N	BC548A, BC108A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B	1K	1KR	Si-N	BC548B, BC108B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C	1L	1LR	Si-N	BC548C, BC108C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B	2В	2BR	Si-N	BC549B, ВС108В	Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C	2С	2CR	Si-N	BC549C, BC109C	Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B	2F	2PR	Si-N	BC550B, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C	2G	2GR	Si-N	BC550C, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A	ЗА	3AR	Si-P	BC556A	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B	3В	3BR	Si-P	BC556B	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A	ЗЕ	3ER	Si-P	BC557A, BC177A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B	3F	3FR	Si-P	BC557B, BC177B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С	3G	3GR	Si-P	BC557C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А	3J	3JR	Si-P	BC558A, BC178A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В	ЗК	3KR	Si-P	BC558B, BC178B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С	3L	3LR	Si-P	BC558C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А	4А	4AR	Si-P	BC559A, BC179A, BCY78	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В	4В	4BR	Si-P	BC559B, BCY79	Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С	4С	4CR	Si-P	BC559C, BCY79	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А	4Е	4ER	Si-P	BC560A, BCY79	45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В	4F	4FR	Si-P	BC560B, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С	4G	4GR	Si-P	BC560C, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29	С7	С77	Si-P	BC559A, BCY78, BC179	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30	С8	С9	Si-P	BC559B, BCY78	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32	07	077	Si-N	BC549B, BCY58, BC109	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33	D8	D81	Si-N	BC549C, BCY58	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70	Н7	Н71	Si-P	BC560B, BCY79	Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81	К9	К91	Si-N	BC550C	Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71	К7	К71	Si-N	BC546A	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72	К8	К81	Si-N	BC546B	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29	С1	С4	Si-P	BC178A, BC558A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30	С2	С5	Si-P	BC178B, BC558B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31	D1	D4	Si-N	ВС108А,ВС548А	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32	02	D5	Si-N	ВС108В, ВС548	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33	D3	06	Si-N	ВС108С, ВС548С	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A	АА		Si-N	ВС548А	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B	АВ		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C	АС		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D	AD		Si-N	ВС548С	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A	ВА		Si-P	BC558A	Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B	ВВ		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C	ВС		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D	BD		Si-P	BC558C	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69	Н1	Н4	Si-P	ВС557А	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70	Н2	Н5	Si-P	ВС557В	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71	К1	К4	Si-N	ВС547А	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72	К2	К5	Si-N	ВС 547В	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81	КЗ	К31	Si-N	ВС547С	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89	НЗ	Н31	Si-P	ВС556А	Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17	Т1	Т4	Si-P	ВС327	Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18	Т2	Т5	Si-P	ВС328	Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19	U1	U4	Si-N	BC337	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20	U2	U5	Si-N	ВС 33 8	Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G	AG		Si-N	BC107A, BC547A	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H	AH		Si-N	ВС 107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J	AJ		Si-N	ВС107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K	AK		Si-N	ВС107С, BC547C	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G	BG		Si-P	ВС177А, BC557A	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H	BH		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J	BJ		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K	BK		Si-P	ВС557С	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510	S6		N-FET	BF410A	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511	S7		N-FET	BF410B	Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512	S8		N-FET	BF410C	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513	S9		N-FET	BF410D	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536	G3		SI-P	BF936	Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550	G2	G5	Si-P	BF450	Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569	G6		Si-P	BF970	Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579	G7		Si-P	BF979	Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660	G8	G81	Si-P	BF606A	Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767	G9		Si-P	BF967	Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820			S-N	BF420	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821	1W		Si-P	BF421	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822	1Х		Si-N	BF422	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823	1Y		Si-P	BF423	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824	F8		Si-P	BF324	Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840	F3		Si-N	BF240	Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841	F31		SI-N	BF241	Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30	М1		N-FET	BFW-11, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31	М2		N-FET	BFW12, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53	N1	N4	Si-N	BFW30, BFW93	Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92	Р1	Р4	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A	Р2	РЬ	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93	R1	R4	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A	R2	R5	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)	Е1 (Е2)	Е4 (F5)	Si-N	BFY90, BFW92(A)	Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18	F1	F4	Si-N	BF185, BF495	Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19	F2	F5	Si-N	BF184, BF494	Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20	G1	G4	Si-N	BF199	Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25	V1	V4	Si-N	BFT24	Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46	МЗ		NFT	BFW13, BF245	Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92	W1	W4	Si-P "	BFQ51, BFQ52	Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93	Х1	Х4	Si-P	BFQ23, BFQ24	Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61	А5		BYT	BRY56	70V
BRY62	А51		Tetrode	BRY56, BRY39	Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12	B5	В8	Si-P	2N2894A	Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13	U7	U71	Si-N	2N2222, PH2222	Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14	U8	U81	Si-N	2N2222A, PH2222A	Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15	T7	T71	Si-P	2N2907, PH2907	Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16	T8	T81	Si-P	2N2907A, PH2907A	Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17	U9	U91	Si-N	2N3903	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A	U92	U93	Si-N	2N3904	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18	T9	T91	Si-P	2N3905	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A	T92	T93	Si-P	2N3906	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19	U35		Si-N	2N5550	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A	U36		Si-N	2N5551	Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20	T35		Si-P	2N5400	Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A	T36		Si-P	2N5401	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56	M4		N-FET	2N4856	Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57	M5		N-FET	2N4857	Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58	M6		N-FET	2N4858	Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63	T3	T6	Si-P	BSS68	Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64	U3	U6	Si-N	BSS38	Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52	B2	B3	Si-N	PH2369, BSX20	Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-...	см.пр им.		Si-St	BZX79	Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391	M62		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392	M63		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393	M64		N-FET	-	Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84... приведена в таблице ниже

Тип	марк.	Тип	марк.	Тип	марк.	Тип	марк.
.....C2V4	Z11	.....C2V7	Z12	.....C3VO	Z13	.....C3V3	Z14
.....C3V6	Z15	.....C3V9	Z16	.....C4V3	Z17	.....C4V7	Z1
.....C5V1	Z2	.....C5V6	Z3	.....C6V2	Z4	.....C6V8	Z5
.....C7V5	Z6	.....C8V2	Z7	.....C9V1	Z8	.....С10	Z9
.....С11	Y1	.....С12	Y2	.....С13	Y3	.....С15	Y4
.....С16	Y5	.....С18	Y6	.....С20	Y7	.....С22	Y8
.....С24	Y9	.....С27	Y10	.....С30	Y11	.....С33	Y12
.....С36	Y13	.....С39	Y14	.....С43	Y15	.....С47	Y16
.....С51	Y17	.....С56	Y18	.....С62	Y19	.....С68	Y20
.....С75	Y21	-

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-47 (SOT-89)

Тип прибора	Цветовая маркировка	Структ. п/п	Аналог (прибл)	Краткие параметры
BC868	САС	Si-N	BC368, BD329	Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
ВС869	СЕС	Si-P	BC369, BD330	Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61	D91	Si-N		Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62	С91	Si-P	-	Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
ВСХ51	АА	Si-P	BC636, BD136	Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ52	АЕ	Si-P	BC638, BD138	Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ53	АH	Si-P	BC640, BD140	Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ54	BА	Si-P	BC635, BD135	Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ55	BE	Si-N	BC637, BD137	Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ56	ВН	Si-N	BC639, BD139	Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ68	СА	Si-N	BC368, BD329	Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
ВСХ69	СЕ	Si-P	BC369, BD300	Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BF620	ОС	Si-N	BF420, BF471, BF871	Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF621	DF	Si-P	BF421, BF472, BF872	Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF622	DA	Si-N	BF422, BF469, BF869	Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BF623	DB	Si-P	BF423, BF470, BF870	Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17	FA	Si-N	BFW16A	Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18A	FF	Si-N	BFQ34, BFQ64	Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19	FB	Si-N	BFR96, 2SC3268	Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67	V2	Si-N	BFQ65	Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30	BR1	Si-P	2N4030	Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31	BR2	Si-P	2N4031	Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32	BR3	Si-P	2N4032	Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33	BR4	Si-P	2N4033	Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40	AR1	Si-N	BSX46-6	Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41	AR2	Si-N	BSX46-16	Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42	AR3	Si-N	2N3020	Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43	AR4	Si-N	2N3019	Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
BST15	BT1	Si-P	2N5415	Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16	BT2	Si-P	2N5416	Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39	AT1	Si-N	-	Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40	AT2	Si-N	-	Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50	AS1	Si-N-Darl	BSR50, BSS50, BDX42	Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51	AS2	Si-N-Darl	BSR51, BSS51, BDX43	Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST52	AS3	Si-N-Darl	BSR52, BSS52, BDX44	Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST60	BS1	Si-P-Darl	BSR60, BSS60, BDX45	Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
BST61	BS2	Si-P-Darl	BSR61, BSS61, BDX46	Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST62	BS3	Si-P-Darl	BSR62, BSS62, BDX47	Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST80	KM	MOS-N-FET-e	BST70A	V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
BST84	KN	MOS-N-FET-e	BST24A	V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST86	KQ	MOS-N-FET-e	BST76A	V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST120	LM	MOS-P-FET-e	BST100	V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BST122	LN	MOS-P-FET-e	BST110, BS250	V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BZV49	см.прим.	Z-Di	BZV85	Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 - 75V, P= 1W

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49... приведена в таблице ниже

Тип	марк.	Тип	марк.	Тип	марк.	Тип	марк.
.....C2V4	Z11	.....C2V7	Z12	.....C3VO	Z13	.....C3V3	Z14
.....C3V6	Z15	.....C3V9	Z16	.....C4V3	Z17	.....C4V7	Z1
.....C5V1	Z2	.....C5V6	Z3	.....C6V2	Z4	.....C6V8	Z5
.....C7V5	Z6	.....C8V2	Z7	.....C9V1	Z8	.....С10	Z9
.....С11	Y1	.....С12	Y2	.....С13	Y3	.....С15	Y4
.....С16	Y5	.....С18	Y6	.....С20	Y7	.....С22	Y8
.....С24	Y9	.....С27	Y10	.....С30	Y11	.....С33	Y12
.....С36	Y13	.....С39	Y14	.....С43	Y15	.....С47	Y16
.....С51	Y17	.....С56	Y18	.....С62	Y19	.....С68	Y20
.....С75	Y21	-

Полупроводниковые приборы в корпусе KT-48(SOT-143)

Тип прибора	Цветовая маркировка	Структ. п/п	Аналог (прибл)	Краткие параметры
BAS28	А61	Si-Di	2x1N4148	S, 70V, 0.25A, <4ns
BAV23	L30	Si-Di	2x BAV21	S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
BF989	М89	MOS-N-FET-d	BF960	Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.7V
BF990	М90	MOS-N-FET-d	BF980	Dual-Gate, Min, UHF, 18V, Up<2.5V
BF991	М91	MOS-N-FET-d	BF981	Dual-Gate, Min, FM/VHF, 18V, Idss >4mA, Up <2.5V
BF992	М92	MOS-N-FET-d	BF982	Dual-Gate, Min, FM/VHF, 20V, Up <1.3V
BF994 (BF994S)	M94 (M93)	MOS-N-FET-d	BF964 (BF964S)	Dual-Gate, Min, FM/VHF, Idss >6mA, Up <3.5V
BF996 (BF996S)	M96(M95)	MOS-N-FET-d	BF966 (BF966S)	Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.5V
BFG67	V3	Si-N	BFG65	Min, VHF/UHF-A, 20V, 0.05A, 7.5GHz
BFR101A (BFR101B)	M97 (M98)	N-FET	-	Min, Uni, sym, 30V, Idss >0.2mA, Up <2.5V
BSD20	M31	MOS-N-FET-d	-	SS, Chopper, Min, 15V, 50mA, 1/5ns
BSD22	M32	MOS-N-FET-d	-	SS, Chopper, Min, 25V, 50mA, 1/5ns
BSS83	M74	MOS-N-FET-e	-	Min, HF, 25V, Up <2V

Полупроводниковые приборы в корпусе КД-80 (SOD-80)

Тип прибора	Цветовая маркировка	Структ. п/п	Аналог (прибл)	Краткие параметры
ВА682	красная полоса	Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
ВА683	красная + оранжевая	Pin-Di	BA483	VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32	черн. полоса	Si-Di	1N4148	Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100	зелен. + черн.	Si-Di	BAV18	S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101	зелен. + коричн	Si-Di	BAY 19	S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102	зелен.+ красн.	Si-Di	BAV20	S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103	зелен. + оранж.	Si-Di	BAV21	S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
ВВ215	белая + зелен.	C-Di	BB405B	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
ВВ219	белая	C-Di	BB909	Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

Полупроводниковые приборы

Обозначение	Тип	Корпус	Обозначение	Тип	Корпус	Обозначение	Тип	Корпус
AA	BCW 60 A	SOT 23	EF	BCW66F	SOT 23	L8	BAR 15-1	SOT 23
AB	BCW 60 B	SOT 23	EG	BCV 49	SOT 89	L9	BAR 16-1	SOT 23
AB	BCX 51-6	SOT 89	EG	BCW 66 G	SOT 23	R2	BFR 93 A	SOT 23
AC	BCW 60 C	SOT 23	EH	BCW 66 H	SOT 23	S1A	SMBT 3904	SOT 23
AC	BCX 51 -10	SOT 89	EK	BCX 41	SOT 23	S1B	SMBT 2222	SOT 23
AD	BCW 60 D	SOT 23	FC	BFQ 64	SOT 89	S1C	SMBTA 20	SOT 23
AD	BCX 51-16	SOT 89	FD	BFQ 17 P	SOT 89	S1D	SMBTA 42	SOT 23
AF	BCX 52-6	SOT 89	FD	BCV 26	SOT 23	S1E	SMBTA 43	SOT 23
AF	BCW 60FF	SOT 23	FE	BCV 46	SOT 23	S1G	SMBTA 06	SOT 23
AG	BCX 52-10	SOT 89	FE	BFQ 19 P	SOT 89	S1H	SMBTA 05	SOT 23
AG	BCX 70 G	SOT 23	FF	BCV 27	SOT 23	S1M	SMBIA 13	SOT 23
AH	BCX 70 H	SOT 23	FG	BCV 47	SOT 23	S1N	SMBTA 14	SOT 23
AJ	BCX 53-6	SOT 89	FM	BFN 24	SOT 23	S1P	SMBT2222A	SOT 23
AJ	BCX 70 J	SOT 23	FJ	BFN 26	SOT 23	S2A	SMBT 3906	SOT 23
AK	BCX 53-10	SOT 89	FK	BFN 25	SOT 23	S2B	SMBT 2907	SOT 23
AK	BCX 70 K	SOT 23	FL	BFN 27	SOT 23	S2D	SMBTA 92	SOT 23
AL	BCX 53-16	SOT 89	GA	BAW 78 A	SOT 89	S2E	SMBTA 93	SOT 23
AM	BCX 52-16	SOT 89	GB	BAW 78 B	SOT 89	S2F	SMBT2907A	SOT 23
AM	BSS 64	SOT 23	GC	BAW 78 C	SOT 89	S2G	SMBTA 56	SOT 23
AN	BCW 60 PN	SOT 23	GD	BAW 78 D	SOT 89	S2H	SMBTA 55	SOT 23
BA	BCW 61 A	SOT 23	GE	BAW 79 A	SOT 89	S2 Читайте далее: Микросхемы фирмы Holtek для синтезирования голосовых, звуковых сообщений и обраб, Микросхемы памяти и их применение, Как связать микроконтроллер и компьютер по каналу RS-232, Система команд PIC-контроллеров серии PIC16C8X, MAX1674/1676 - высокоэффективные (94% при 200мА), с малым током потребления, ком, Топология частотных преобразователей средней и большой мощности, Полимерные предохранители PolySwitch — надежный способ обратимой защиты электрич, О пьезокерамике и перспективах ее применения, Зачем в конденсаторе дырка: новая конструкция электролитических конденсаторов бо, Знакомство с пакетом DesignLab 8, Термоотверждаемый эпоксидный клей для технологии смешанного монтажа, Weller — мир профессионального паяльного оборудования (1), Weller — мир профессионального паяльного оборудования (3), Электрический паяльник инженера Сакса. История и современность., Схемотехника при разработке устройств на микроконтроллерах, Конфигурируемая система на кристалле Е5 — первое знакомство, IR21571— контроллер электронных балластов нового поколения, Однокристальные системы сбора данных семейства ADuC8xx, «NO EXCUSES» — специальная программа компании MOTOROLA,