Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


Микросхемы - усилители низкой частоты (6)


STK8250II, STK8260II, STK8270II, STK8280II

Интегральные микросхемы STK8250II, STK8260II, STK8270II и STK8280II фирмы Sanyo выполнены в корпусах SIP10 с 12 выводами и представляют собой выходные модули усилителей мощности низкой частоты в гибридном исполнении с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



Uccnom

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых.

Pвых.

Кг

Ку

STK8250II

±38V

±56V

70 mA

20Hz-20KHz



50W

0,005%

26dB

STK8260II

±42V

±59V

70 mA

20Hz-20KHz



60W

0,005%

26dB

STK8270II

±44V

±60V

70 mA

20Hz-20KHz



70W

0,005%

26dB

STK8280II

±47V

±65V

70 mA

20Hz-20KHz



80W

0,005%

26dB

TA7203P

Интегральная микросхема TA7203P фирмы Toshiba выполнена в корпусе TABS 5 с 14 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

8 V

Uccmax

20 V

Icc0(Uвх.=0)

37 mA

Pвых.(14V/8Ω)

2 W

Rвх.

120 КΩ



42 dB

ΔF

30Hz-18KHz

Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz)

0,25%

Rвых.



TA7210P, TA7268P

Интегральные микросхемы ТА7210Р и TA7268P фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами(цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

TA7210P

TA7268P

Uccmin

20 V

20 V

Uccmax

40 V

45 V

Icc0(Uвх.=0)

25 mA

25 mA

Pвых.(34V/8Ω)

11 W

11 W

Rвх.

120 KΩ

120 КΩ

Ку

42 dB

42 dB

ΔF

20Hz-20KHz

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz)

0,1%

0,1%

Rвых.nom





TA7220P

Интегральная микросхема TA7220P фирмы Toshiba выполнена в корпусе SIL с 10 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для Получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые иэ основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin

3 V

Uccmax

12 V

Icc0(Uвх.=0)

5 mA

Pвых.(9V/32Ω)

0,15 W

Rвх.

160 КΩ



48 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,1W,f=1KHz)

0,1%

Rвых.

32Ω

ТА7235Р, ТА7269Р, ТА7286Р

Интегральные микросхемы ТА7235Р, ТА7269Р и ТА7286Р фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

ТА7235Р

ТА7269Р

ТА7286Р

Uccmin

6 V

6 V

6 V

Uccmax

22 V

20 V

20 V

Icc0(Uвх.=0)

25 mA

35 mA

19 mA

Pвых.(15V/3Ω)

9 W

8 W

8 W

Rвх.

120 КΩ

120 КΩ

120 КΩ

Ку

42 dB

42 dB

42 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz)

0,08%

0,08%

0,08%

Rвых.nom







TA7237AP

Интегральная микросхема TA7237AP фирмы i Toshiba выполнена в корпусе SIP2 с 12 выво­дами и представляет со­бой усилитель мощности низкой частоты выпол­нений по мостовой схеме. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin

8 V

Uccmax

18 V

Icc0(Uвх.=0)

90 mA

Pвых.(13V/4Ω)

17 W

Rвх.

150 КΩ



52 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)

0,05%

Rвых.



TA7252P

Интегральная микросхема TA7252P фирмы Toshiba выполнена в корпусе SIP2 с 7 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin

9 V

Uccmax

25 V

Icc0(Uвх.=0)

35 mA

Pвых.(13V/2Ω)

9,6 W

Rвх.

100 КΩ



42 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=1W,f=1KHz)

0,1%

Rвых.



ТА7273Р, TА8216Н

Интегральные микросхемы ТА7273Р и ТА8216Н фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различным параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

TA7273P

ТА8216Н

Uccmin

6 V

6 V

Uccmax

37 V

37 V

Icc0(Uвх.=0)

35 mA

45 mA

Pвых.(28V/8Ω)

13 W

14 W

Rвх.

100 mΩ

120 КΩ

Ку

48 dB

48 dB

ΔF

20Hz-20KHz

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W, f=1 KHz)

0,08%

O,O8%

Rвых.nom





TA7274P, TA7275P

Интегральные микросхемы TA7274P и ТА7275Р фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP2 с 7 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполнение по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Параметры микросхем TA7274P и ТА7275Р идентичны, но в отличии от TA7274P, у которой расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у ТА7275Р инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

Uccmin

10 V

Uccmax

25 V

Icc0(Uвх.=0)

80 mA

Pвых.(12V/8Ω)

12 W

Rвх.

120 КΩ



48 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)

1%

Rвых.



ТА7280Р, TА7281Р

Интегральные микросхемы ТА7280Р и ТА7281Р фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Параметры микросхем ТА7280Р и ТА7281Р идентичны, но в отличии, от ТА7280Р, у которой расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у ТА7281Р инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

10 V

Uccmax

25 V

Icc0(Uвх.=0)

55 mA

Pвых.(13V/4Ω)

5,8 W

Rвх.

100 КΩ

Ку

48 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,

f=1KHz)

0,1%

Rвых.nom



TA7282AP, TA8207P

Интегральные микросхемы ТА7282АР и ТА8207Р фирмы Toshiba выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW включает функцию "MUTE". Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

ТА7282АР

ТА8207Р

Uccmin

9 V

10 V

Uccmax

16 V

18 V

Icc0(Uвх.=0)

19 mA

45 mA

Pвых.(12V/4Ω)

4,6 W

5,8 W

Rвх.

150 KΩ

100 KΩ

Ку

42 dB

46 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,

f=1KHz)

0,1%

0,08%

Rвых.nom





TA7336P

Интегральная микросхема TA7336P фирмы Toshiba выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin

1,5 V

Uccmax

12 V

Icc0(Uвх.=0)

6 mA

Pвых.(6V/8Ω)

0,34W

Rвх.

100 КΩ

Ку

42 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,1W, f=1KHz)

0,3%

Rвых.nom



TA7376P

Интегральная микросхема TA7376P фирмы Toshiba выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

1,5 V

Uccmax

8 V

Icc0(Uвх.=0)

5,3 mA

Pвых.(4,5V/4Ω)

0,3 W

Rвх.

100 КΩ

Ку

48 dB

ΔF

30Нz-18KHz

Кг(Pвых.=0,1W,

f=1KHz)

0,25%

Rвых.





Источник: radvs.boom.ru

Читайте далее: Подключение ИК-порта к ПК и работа с ним, Оптоволокно. Основные понятия волоконной оптики, Рецепты токопроводного клея, Монтаж микросборок RFM, Проходной конденсатор - больше, чем просто конденсатор!, Как правильно выбрать величину индуктивности дросселя?, Самодельные радиаторы для полупроводниковых приборов, Улучшение приема FM радиовещания в некоторых видеокартах, Графическая среда для разработки программного обеспечения микроконтроллеров, Реализация последовательной асинхронной передачи данных в микроконтроллерах PIC, Программное дeкодирование DTMF по принципу АОН на базе микроконтроллера PIC16F628, Декодировка сигналов тонального набора номера, Что такое GPS?, Типоразмеры компонентов для монтажа на поверхность, Сетка телевизионных каналов, используемых в России., Пайка алюминия, Расчетные формулы при работе с проволокой, CAN 2.0 А, CAN интерфейс,
Самые читаемые