Главная

Радиотехника

AN7142

Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 20 V

Pвыхmax 2,1 W

Icc0(Uвх=0) 22 mA

Rвх 120KΩ

Ку,напр. 68dB

ΔF 30Hz- 18KHz

Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

AN7145L, AN7145M, AN7145H, AN7146M, AN7146H

Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

	Uccinin	Uccmax	Icc0	ΔF	Rвых	Pвых	Кг	Ку,напр.
AN7145L	6V	20V	25mA	40Hz-18KHz	4Ω	1W	0,2%	42dB
AN7145M	9V	20V	30mA	40Hz-18KHz	4Ω	2,4W	0,2%	42dB
AN7145H	12V	24V	40mA	40Hz-18KHz	ЗП	7,5W	0,2%	42dB
AN7146M	9V	20V	32mA	40Hz-18KHz	4Ω	2,3W	0,2%	42dB
AN7146H	9V	20V	40mA	40Hz-18KHz	4Ω	4,5W	0,2%	42dB

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

AN7156

Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 24 V

Pвых(13V/4Ω) 5,5 W

Icc0(Uвх=0) 70 mA

Rвх 100КΩ

Ку,напр. 56dB

ΔF 30Hz-18KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

AN7158, AN7166

Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

	AN7158	AN7166
Uccmax	24 V	24 V
Icc0(Uвх=0)	35 mA	30 mA
Рвыхmах	7,5 W	5,5 W
Ку,напр.	56 dB	52 dB
ΔF	30Hz-18KHz	30Hz-18KHz
Кг	0,1%	0,15%
Rвыхnom	4Ω	4Ω

AN7161

Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 26 V

Icc0(Uвх=0) 65 mA

Рвых(15V/4Ω) 10 W

Ку,напр. 48 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%

Rвыхnom 4Ω

AN7163


Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 12 V

Uccmax 16 V

Icc0(Uвх=0) 60 mA

Pвыхmax 18 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%

Rвыхnom 4Ω

AN7170

Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 35 V

Icc0(Uвх=0) 75 mA

Pвых(26V/4Ω) 18 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%

Rвыхnom 8Ω

AN7171

Интегральная микросхема AN7171 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которого выполнены по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 15 V

Icc0(Uвх=0) 45 mA

Рвыхmах 12 W

Rвх 150 KΩ

Ку,напр. 48 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

BA5204, BA5204F

Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 1,5 V

Uccmax 4,5 V

Pвых(3V/32Ω) 35 mW

Icc0(Uвх=0) 13 mA

Ку,напр. 62 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Uвхmax 15 mV

Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05%

Uвх0 12 mV

Rвыхnom 32Ω

ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD,

TCA150КА, ТСА150KB, TDA1042, TDA1042B, UL1490N, UL1491R,

UL1492R, UL1493R

Интегральные микросхемы ESM231N, ТВА790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, ТСА150КВ, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N,UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы ТВА790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

	Uccmin	Uccmax	Icc0	ΔF	Rвых	Pвых	Кг	Ку,напр.
ESM231N	9V	30V	25mA	40Hz-20KHz	4Ω	18W	0,5%	48dB
ТВА790	6V	12V	6mA	40Hz-15KHz	8Ω	1,2W	0,5%	42dB
TBA790LA	6V	12V	бтА	40Hz-15KHz	8Ω	1,2W	2,5%	42dB
TBA790LB	6V	15V	8mA	40Hz-15KHz	8Ω	2,2W	2,5%	42dB
TBA790LC	6V	12V	6mA	40Hz-15KHz	8Ω	2,2W	2,5%	42dB
TBA790KD	6V	18V	10mA	40Hz-15KHz	8Ω	3.45W	2,5%	62dB
TCA150KA	9V	15V	9mA	40Hz-15KHz	4Ω	4W	0,5%	62dB
ТСА150КВ	9V	18V	11mA	40Hz-15KHz	4Ω	5,5W	0,5%	62dB
TDA1042	9V	18V	10mA	40Hz-20KHz	2Ω	10W	0,2%	62dB
TDA1042B	9V	18V	10mA	40Hz-20KHz	2Ω	10W	0,2%	62dB
UL1490N	6V	12V	10mA	40Hz-15KHz	15Ω	0,65W	1,5%	46dB
UL1491R	6V	12V	10mA	40Hz-15KHz	8Ω	1,2W	1,5%	46dB
UL1492R	6V	15V	10mA	40Hz-15KHz	8Ω	2,1W	1,5%	46dB
UL1493R	6V	12V	10mA	40Hz-15KHz	4Ω	2,1W	1,5%	46dB

В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

ESM1231C, TDA1103, TDA1103SP

Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

Uccmin 12 V

Uccmax 32 V

Icc0(Uвх=0) 30 mA

Pвыхmax 20 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%

Rвыхnom 4Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.

НА1374, НА1374А

Интегральные микросхемы НА 1374 и НА1374А фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

	НА1374	НА1374А
Uccmin	8 V	8 V
Uccmax	22 V	25 V
Icc0(Uвх=0)	36 mA	36 mA
Pвыхmax	3 W	4 W
Rвх	100КΩ	100КΩ
Ку,напр.	32 dB	32 dB
ΔF	30Hz-20KHz	30Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz)	0,2%	0,15%
Rвыхnom	8Ω	8Ω

НА1392

Интегральная микросхема НА1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW1 выполняет функцию "MUTE". В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 36 mA

Pвых(12V/4Ω) 4,3 W

Rвх 120 КΩ

Ку,напр. 42 dB

ΔF 30Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

НА1396

Интегральная микросхема НА1396 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию "MUTE".Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 140 mA

Pвых(13V/4Ω) 20 W

Ку,напр. 42 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

К174УН14, L142, LM383, LM383A, LM2002, LM2002A,

TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003, TDA2008,

ULN3701Z, ULN3702Z, ULN3703Z, μPC2002

Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), μPC2002 (NEC) выполнены в корпусах Т0220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

	Uccmin	Uccmax	Icc0	ΔF	Rвых	Pвых	Кг	Ку,напр.
К174УН14	8V	18V	45mA	40Hz-20KHz	4Ω	4,5W	0,25%	48dB
L142	5V	40V	20mA	40Hz-20KHz	4Ω	20W	0,2%	48dB
LM383	5V	22V	45mA	40Hz-20KHz	40.	7W	0,2%	48dB
LM2002	5V	20V	45mA	40Hz-20KHz	4Ω	8W	0,2%	48dB
TDA1410H	8V	36V	20mA	40Hz-20KHz	4Ω	16W	0,2%	48dB
TDA1420H	8V	44V	20mA	40Hz-20KHz	4Ω	30W	0,2%	48dB
TDA2002	8V	18V	45mA	40Hz-20KHz	2ft	8W	0,2%	48dB
TDA2003	8V	18V	44mA	40Hz-20KHz	10.	10W	0,2%	42dB
TDA2008	8V	18V	65mA	40Hz-20KHz	4Ω	12W	0,5%	48dB
ULN3701Z	8V	18V	45mA	35Hz-20KHz	2Ω	10W	0,1%	42dB
ULN3702Z	8V	26V	80mA	35Hz-20KHz	4Ω	12W	0,1%	42dB
ULN3703Z	8V	18V	44mA	35Hz-20KHz	2Ω	10W	0,1%	42dB
μPC2002	8V	18V	55mA	40Hz-20KHz	2Ω	9W	0,2%	48dB

K174УH22, KA2209, L272M, L2722, NJM2073, TDA2822M, TDA2822D, U2822B, U2823B

Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D(SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D - SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:

Uccmin	1,8 V
Uccmax	9 V
Icc0(Uвх.=0)	9 mA
Pвых.(6V/4Ω)	0,65 W
Kу	62 dB
ΔF	30Hz-18KHz
Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz)	0,05%
Rвых.	4Ω

КА2202, КА2207

Интегральные микросхемы КА2202 и КА2207 (Samsung) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах TABS5 с 14 выводами. Представляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в кассетных магнитофонах, другой аудиоаппаратуре низкого класса с питанием от батарей. Основные параметры микросхем следующие:

	КА2202	КА2207
Uccmin	4 V	5V
Uccmax	16 V	20 V
Pвыхmax	1 W	2,3 W
Icc0(Uвх=0)	7 mA	9 mA
Ку,напр.	52 dB	52 dB
ΔF	40Hz-18KHz	40Hz-18KHz
Кг(Pвых=100mW, f=lKHz)	0,2%	0,1%
Rвыхnom	4Ω	4Ω

В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).

КА2211, KIA7299, TA7240P, TA7241Р, ТА7263Р, ТА7264Р, ТА7270Р, ТА7271Р, ТА7299Р

Интегральные микросхемы КА2211 и К1А7299 (Samsung), TA7240P, TA7241P, TA7263P, TA7264P, TA7270P, TA7271P и TA7299P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем КА2211, К1А7299, TA7240P, TA7263P, TA7270P и ТА7299 расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P, TA7264P и TA7271P инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 18 V

Pвыхmax 5,8 W

Icc0(Uвх=0) 80 mA

Ку,напр. 52 dB

ΔF 30Hz-20KHz

Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2%

Rвыхnom 4Ω В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

КА22101, ТА7250ВР, ТА7251ВР

Интегральные микросхемы КА22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 120 mA

Pвых.max 23 W

Ку,напр. 46 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).


Источник: radvs.boom.ru