Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


Микросхемы - усилители низкой частоты. Часть 1


AN7142


Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 20 V

Pвыхmax 2,1 W

Icc0(Uвх=0) 22 mA

Rвх 120KΩ

Ку,напр. 68dB

ΔF 30Hz- 18KHz

Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

AN7145L, AN7145M, AN7145H, AN7146M, AN7146H


Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:



Uccinin

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых

Pвых

Кг

Ку,напр.

AN7145L

6V

20V

25mA

40Hz-18KHz



1W

0,2%

42dB

AN7145M

9V

20V

30mA

40Hz-18KHz



2,4W

0,2%

42dB

AN7145H

12V

24V

40mA

40Hz-18KHz

ЗП

7,5W

0,2%

42dB

AN7146M

9V

20V

32mA

40Hz-18KHz



2,3W

0,2%

42dB

AN7146H

9V

20V

40mA

40Hz-18KHz



4,5W

0,2%

42dB

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

AN7156


Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 24 V

Pвых(13V/4Ω) 5,5 W

Icc0(Uвх=0) 70 mA

Rвх 100КΩ

Ку,напр. 56dB

ΔF 30Hz-18KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

AN7158, AN7166


Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:



AN7158

AN7166

Uccmax

24 V

24 V

Icc0(Uвх=0)

35 mA

30 mA

Рвыхmах

7,5 W

5,5 W

Ку,напр.

56 dB

52 dB

ΔF

30Hz-18KHz

30Hz-18KHz

Кг

0,1%

0,15%

Rвыхnom







AN7161


Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 26 V

Icc0(Uвх=0) 65 mA

Рвых(15V/4Ω) 10 W

Ку,напр. 48 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%

Rвыхnom 4Ω

AN7163




Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 12 V

Uccmax 16 V

Icc0(Uвх=0) 60 mA

Pвыхmax 17 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%

Rвыхnom 4Ω

AN7170


Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 35 V

Icc0(Uвх=0) 75 mA

Pвых(26V/4Ω) 18 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%

Rвыхnom 8Ω

AN7171


Интегральная микросхема AN7171 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которого выполнены по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 15 V

Icc0(Uвх=0) 45 mA

Рвыхmах 12 W

Rвх 150 KΩ

Ку,напр. 48 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

BA5204, BA5204F


Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 1,5 V

Uccmax 4,5 V

Pвых(3V/32Ω) 35 mW

Icc0(Uвх=0) 13 mA

Ку,напр. 62 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Uвхmax 15 mV

Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05%

Uвх0 12 mV

Rвыхnom 32Ω

ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD,

TCA150КА, TCA150KB, TDA1042, TDA1042B, UL1490N, UL1491R,

UL1492R, UL1493R



Интегральные микросхемы ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, TCA150KB, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N, UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы TBA790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



Uccmin

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых

Pвых

Кг

Ку,напр.

ESM231N

9V

30V

25mA

40Hz-20KHz



18W

0,5%

48dB

TBA790

6V

12V

6mA

40Hz-15KHz



1,2W

0,5%

42dB

TBA790LA

6V

12V

бтА

40Hz-15KHz



1,2W

2,5%

42dB

TBA790LB

6V

15V

8mA

40Hz-15KHz



2,2W

2,5%

42dB

TBA790LC

6V

12V

6mA

40Hz-15KHz



2,2W

2,5%

42dB

TBA790KD

6V

18V

10mA

40Hz-15KHz



3.45W

2,5%

62dB

TCA150KA

9V

15V

9mA

40Hz-15KHz



4W

0,5%

62dB

TCA150KB

9V

18V

11mA

40Hz-15KHz



5,5W

0,5%

62dB

TDA1042

9V

18V

10mA

40Hz-20KHz



10W

0,2%

62dB

TDA1042B

9V

18V

10mA

40Hz-20KHz



10W

0,2%

62dB

UL1490N

6V

12V

10mA

40Hz-15KHz

15Ω

0,65W

1,5%

46dB

UL1491R

6V

12V

10mA

40Hz-15KHz



1,2W

1,5%

46dB

UL1492R

6V

15V

10mA

40Hz-15KHz



2,1W

1,5%

46dB

UL1493R

6V

12V

10mA

40Hz-15KHz



2,1W

1,5%

46dB

В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

ESM1231C, TDA1103, TDA1103SP


Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

Uccmin 12 V

Uccmax 32 V

Icc0(Uвх=0) 30 mA

Pвыхmax 20 W

Ку,напр. 52 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%

Rвыхnom 4Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.

HA1374, HA1374A


Интегральные микросхемы HA1374 и HA1374A фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:



HA1374

HA1374A

Uccmin

8 V

8 V

Uccmax

22 V

25 V

Icc0(Uвх=0)

36 mA

36 mA

Pвыхmax

3 W

4 W

Rвх

100КΩ

100КΩ

Ку,напр.

32 dB

32 dB

ΔF

30Hz-20KHz

30Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz)

0,2%

0,15%

Rвыхnom





HA1392


Интегральная микросхема HA1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW1 выполняет функцию MUTE. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 36 mA

Pвых(12V/4Ω) 4,3 W

Rвх 120 КΩ

Ку,напр. 42 dB

ΔF 30Hz-20KHz

Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15%

Rвыхnom 4Ω

HA1396


Интегральная микросхема HA1396 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию MUTE.Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:

Uccmin 8 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 140 mA

Pвых(13V/4Ω) 20 W

Ку,напр. 42 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

К174УН14, L142, LM383, LM383A, LM2002, LM2002A,

TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003, TDA2008,

ULN3701Z, ULN3702Z, ULN3703Z, uPC2002



Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), uPC2002 (NEC) выполнены в корпусах ТO-220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



Uccmin

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых

Pвых

Кг

Ку,напр.

К174УН14

8V

18V

45mA

40Hz-20KHz



4,5W

0,25%

48dB

L142

5V

40V

20mA

40Hz-20KHz



20W

0,2%

48dB

LM383

5V

22V

45mA

40Hz-20KHz

40.

7W

0,2%

48dB

LM2002

5V

20V

45mA

40Hz-20KHz



8W

0,2%

48dB

TDA1410H

8V

36V

20mA

40Hz-20KHz



16W

0,2%

48dB

TDA1420H

8V

44V

20mA

40Hz-20KHz



30W

0,2%

48dB

TDA2002

8V

18V

45mA

40Hz-20KHz

2ft

8W

0,2%

48dB

TDA2003

8V

18V

44mA

40Hz-20KHz

10.

10W

0,2%

42dB

TDA2008

8V

18V

65mA

40Hz-20KHz



12W

0,5%

48dB

ULN3701Z

8V

18V

45mA

35Hz-20KHz



10W

0,1%

42dB

ULN3702Z

8V

26V

80mA

35Hz-20KHz



12W

0,1%

42dB

ULN3703Z

8V

18V

44mA

35Hz-20KHz



10W

0,1%

42dB

uPC2002

8V

18V

55mA

40Hz-20KHz



9W

0,2%

48dB

K174УH22, KA2209, L272M, L2722, NJM2073, TDA2822M, TDA2822D, U2822B, U2823B


Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D (SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D - SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:

Uccmin

1,8 V

Uccmax

9 V

Icc0(Uвх.=0)

9 mA

Pвых.(6V/4Ω)

0,65 W



62 dB

ΔF

30Hz-18KHz

Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz)

0,05%

Rвых.





KA2211, TA7240P, TA7241P


Интегральные микросхемы KA2211 (Samsung), TA7240P, TA7241P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем KA2211, TA7240P расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin 10 V

Uccmax 18 V

Pвыхmax 5,8 W

Icc0(Uвх=0) 80 mA

Ку,напр. 52 dB

ΔF 30Hz-20KHz

Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2%

Rвыхnom 4Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

KA22101, TA7250BP, TA7251BP


Интегральные микросхемы KA22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

Uccmin 9 V

Uccmax 18 V

Icc0(Uвх=0) 120 mA

Pвых.max 23 W

Ку,напр. 46 dB

ΔF 20Hz-20KHz

Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1%

Rвыхnom 4Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).


Источник: http://radvs.boom.ru

Читайте далее: Как с помощью PIC16F84 генерировать видеосигнал, Изготовление хлорного железа, Подключение ИК-порта к ПК и работа с ним, Оптоволокно. Основные понятия волоконной оптики, Рецепты токопроводного клея, Монтаж микросборок RFM, Проходной конденсатор - больше, чем просто конденсатор!, Как правильно выбрать величину индуктивности дросселя?, Самодельные радиаторы для полупроводниковых приборов, Улучшение приема FM радиовещания в некоторых видеокартах, Графическая среда для разработки программного обеспечения микроконтроллеров, Реализация последовательной асинхронной передачи данных в микроконтроллерах PIC, Программное дeкодирование DTMF по принципу АОН на базе микроконтроллера PIC16F628, Декодировка сигналов тонального набора номера, Что такое GPS?, Типоразмеры компонентов для монтажа на поверхность,
Самые читаемые